Nanguna nga Pagtapos
Panguna nga teknikal nga mga detalye:
Rated nga gahum: 5-800W;
Mga materyales sa substrate: BeO, AlN, Al2O3
Nominal nga kantidad sa pagsukol: 50Ω
Resistance tolerance: ± 5%, ± 2%, ± 1%
emperature coefficient: <150ppm/℃
Temperatura sa operasyon: -55 ~ + 150 ℃
ROHS standard: Pagsunod sa
Magamit nga sumbanan: Q/RFTYTR001-2022
Ang gitas-on sa lead: L nga gitakda sa data sheet
(mahimong ipasadya sumala sa mga kinahanglanon sa kustomer)
Gahum(W) | Frequency | Mga sukat (unit: mm) | substrateMateryal nga | Data Sheet(PDF) | |||||
A | B | H | G | W | L | ||||
5W | 6GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-05TM0404 |
11GHz | 1.27 | 2.54 | 0.5 | 1.0 | 0.8 | 3.0 | Si AlN | RFT50N-05TJ1225 | |
10W | 4GHz | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | BeO | RFT50-10TM2550 |
6GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-10TM0404 | |
8GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM0404 | |
10GHz | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM5035 | |
18GHz | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM5023 | |
20W | 4GHz | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | BeO | RFT50-20TM2550 |
6GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50N-20TJ0404 | |
8GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM0404 | |
10GHz | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM5035 | |
18GHz | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM5023 | |
30W | 6GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | Si AlN | RFT50N-30TJ0606 |
6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-30TM0606 | ||
60W | 6GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | Si AlN | RFT50N-60TJ0606 |
6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-60TM0606 | ||
6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-60TJ6363 | ||
100W | 3GHz | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | Si AlN | RFT50N-100TJ6395 |
8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | Si AlN | RFT50N-100TJ8957 | ||
9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ9595 | ||
4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ1010 | |
6GHz | 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ6363 | |
8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | Si AlN | RFT50N-100TJ8957B | ||
8GHz | 9.0 | 6.0 | 1.5 | 2.0 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ0906C | |
150W | 3GHz | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | Si AlN | RFT50N-150TJ6395 |
9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ9595 | ||
4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ1010 | |
6GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ1010B | |
200W | 3GHz | 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TJ9595 |
4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TJ1010 | |
10GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TM1313B | |
250W | 3GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-250TM1210 |
10GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-250TM1313B | |
300W | 3GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-300TM1210 |
10GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-300TM1313B | |
400W | 2GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-400TM1313 |
500W | 2GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-500TM1313 |
800W | 1GHz | 25.4 | 25.4 | 3.2 | 4 | 6 | 7 | BeO | RFT50-800TM2525 |
Ang Leaded Termination gihimo pinaagi sa pagpili sa angay nga gidak-on sa substrate ug mga materyales base sa lain-laing mga kinahanglanon sa frequency ug mga kinahanglanon sa kuryente, pinaagi sa resistensya, pag-imprenta sa sirkito, ug sintering.Ang kasagarang gigamit nga mga materyales sa substrate mahimo nga beryllium oxide, aluminum nitride, aluminum oxide, o mas maayo nga mga materyales sa pagwagtang sa kainit.
Leaded Termination, gibahin sa proseso sa manipis nga pelikula ug proseso sa baga nga pelikula.Gidisenyo kini base sa piho nga mga kinahanglanon sa gahum ug frequency, ug dayon giproseso pinaagi sa proseso.Kon ikaw adunay espesyal nga mga panginahanglan, palihog kontaka ang among mga sales personnel aron sa paghatag og piho nga mga solusyon alang sa customization.